بررسی عددی ترابرد کوانتومی در ساختارهای نامتجانس و ترانزیستورهای اثر میدانی گرافینی
thesis
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک
- author حکیمه محمدپور
- adviser اصغر عسگری سید نادر سید ریحانی
- publication year 1390
abstract
در این پایان نامه ترابرد کوانتومی در دو ساختار گرافینی بالیستیک مطالعه می شود. ابتدا به بررسی اتصالات نامتجانس نرمال-ابررسانا-نرمال گرافینی می پردازیم. همدوسی ابررسانایی باعث می شود در فرود الکترون از ناحیه نرمال اول به مرز اتصال با ابررسانا، علاوه بر پراکندگی (ترابرد) به صورت الکترون به ناحیه نرمال دوم (تونل زنی الکترونی)بازتاب ضربی اندریو (پراکندگی به صورت حفره به ناحیه نرمال دوم) نیز صورت بگیرد. در سیستم های پخشی متداول غیر گرافینی، دامنه تونل زنی الکترونی با دامنه بازتاب ضربی اندریو برابر است. از طرفی در یک گرافین خالص، که در آن انرژی فرمی در نقاط دیراک قرار دارد، رفتار ترابردی شبه پخشی برای حامل های بار مشاهده می شود. ما با در نظر گرفتن لایه های نازک گرافین خالص در ساختار نرمال-ابررسانا-نرمال گرافینی نشان داده ایم که در این ساختار، دامنه بازتاب ضربی اندریو با دامنه تونل زنی مستقیم الکترونی برابر است که این نتیجه تاییدی دیگر بر ترابرد الکترونی شبه پخشی در نقاط دیراک است. در قسمت دوم پایاننامه به شبیه سازی عددی ساختار ترانزیستور اثر میدانی بر روی نانونوار گرافینی بر اساس فرمول بندی توابع گرین غیر تعادلی پرداخته ایم. ابتدا ترانزیستور با ساختار را که حامل های بار در نواحی سورس، درین ( ) و کانال ( ) ترانزیستور، از نوع الکترونی هستند را مدل کرده جریان حالت روشن با پارامترهای مختلف طول کانال و مقدار ناخالصی الکترودهای سورس و درین را به دست آورده ایم (علامت به معنی ناخالصی زیاد است). در ادامه ساختار را که در آن حامل های بار نواحی سورس و درین ( ) از نوع حفره ای هستند، بررسی کرده جریان کانال را مطالعه کرده ایم. این ساختار بر اساس تونل زنی حامل ها ی الکترودهای نوع از مان کانال نوع کار می کند. به خاطر تقارن نوار انرژی رسانش و ظرفیت در گرافین، تونل زنی بین-نواری به راحتی صورت گرفته جریان خروجی بزرگی از مرتبه جریان ساختار (میکروآمپر) به دست می دهد. همچنین در این ساختار، اثرات گسستگی ترازهای انرژی در کانال محدود شده توسط سدهای در محل اتصال با سورس و درین، باعث تونل زنی تشدیدی از میان کانال می شود و جریان نوسان کننده با ولتاژ گیت اعمالی به دست می دهد. این نوسان ها نواحیی با رسانش دیفرانسیلی منفی که اساس کار الکترونیک بسامد بالا است فراهم می کند.
similar resources
بررسی ترابرد الکترون در ترانزیستورهای تونل زنی اثر میدانی گرافینی
در این پایان نامه، بر اساس رهیافت تابع گرین و هامیلتونی تنگابست، در تقریب نزدیکترین همسایه ها، به بررسی ترابرد الکترونی در ترانزیستورهای اثر میدانی گرافینی، بر اساس تونل زنی کوانتومی، خواهیم پرداخت. این ترانزیستورها شامل دو نانونوار گرافینی است؛ که چند لایه بور-نیترید در بین آن ها جای گرفته است. نتایج نشان می دهد، که در انرژی هایی در محدوده سد تونل زنی، ترابرد حامل های بار به تعداد لایه های بور...
ترابرد کوانتومی در نانو ترانزیستورهای اثر میدانی
در این رساله یک نانوماسفت دو گیتی فوق العاده نازک با طول گیت کمتر از 9 nm و ضخامت کانال کمتر از 5 nm با استفاده از روشهای کاملا کوانتومی با الکتروستاتیک دو بعدی مورد بررسی قرار می دهیم. معادلات ترابرد بالستیکی دو بعدی با استفاده از رویکرد فضای مد به دو دسته معادلات یک بعدی تقسیم می شوند بطوریکه در راستای محبوس شدگی کوانتومی یعنی در راستای گیت معادله شرودینگر را برای بدست آوردن ویژه مقادیر زیرنو...
15 صفحه اولترابرد کوانتومی همدوس در اتصالات گرافینی فرومغناطیس - ابررسانا - فرومغناطیس
In this paper, we investigate the coherent quantum transport in grapheme-based ferromagnet-superconductor-ferromagent junctions within the framework of BCS theory using DBdG quasiparticles equation .The coherency with the finite size of superconductor region has two characteristic features subgap electron transport and oscillations of differential conductance. we show that periodic vanishing of...
full textبررسی اثر هندسه گیت در عملکرد ترانزیستورهای اثر میدانی گرافینی
ویژگی¬های الکتریکی و نوری خاص گرافین، ازجمله تحرک پذیری بالای حاملین در دمای اتاق، عدم وجود گاف باندی، قابلیت انعطاف پذیری بالا و وجود ترابرد بالستیک حاملین در دمای اتاق، آن را به یک ماده ایده¬آل برای استفاده در حوزه نانو الکترونیک تبدیل کرده است.تحرکپذیری بسیار بالای حامل¬ها در دمای اتاق و ترابرد بالیستیک، گرافین را جایگزین بالقوه ی سیلیکون به عنوان نیمرسانا در مدارهای مجتمع، مدارهای منطقی و ا...
ترابرد کوانتومی همدوس در اتصالات گرافینی فرومغناطیس - ابررسانا - فرومغناطیس
در این تحقیق ما به مطالعه همدوسی ترابرد کوانتومی در یک اتصال گرافینی فرومغناطیس – ابررسانا - فرومغناطیس در چارچوب نظریه bcs و با استفاده از معادله شبه ذرات dbdg پرداختیم. ترابرد همدوس برای ناحیه ابررسانا با پهنای محدود دارای دو ویژگی یکی است، وجود ترابرد الکترونی در انرژی های کمتر از گاف ابررسانا و دیگری نوسان رسانش دیفرانسیلی در انرژی های بالاتر از گاف است. همچینین ما صفر شدن دوره ای بازتاب آن...
full textترابرد الکتریکی وابسته به اسپین در ساختارهای نامتجانس Fe-MgO-Fe
In this paper, spin-dependent electrical transport properties are investigated in a single-crystal magnetic tunnel junction (MTJ) which consists of two ferromagnetic Fe electrodes separated by an MgO insulating barrier. These properties contain electric current, spin polarization and tunnel magnetoresistance (TMR). For this purpose, spin-dependent Hamiltonian is described for Δ1 and Δ5 bands in...
full textMy Resources
document type: thesis
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه تحصیلات تکمیلی علوم پایه زنجان - دانشکده فیزیک
Keywords
Hosted on Doprax cloud platform doprax.com
copyright © 2015-2023